2025年のハイジャンクション化合物半導体：次の10億ドルテクノロジーブームを発見する

エグゼクティブサマリー：主要な発見と市場の推進要因
2025年の市場規模と2030年までの成長予測
技術革新：高接合設計と製造方法
主要メーカーと業界リーダー（公式情報のみ）
新興アプリケーション：パワーエレクトロニクス、5G、AIハードウェア
サプライチェーンのダイナミクスと材料調達の課題
競争環境：戦略的動きとパートナーシップ
規制と基準の更新（2025年以降）
投資動向と資金調達の機会
将来の展望：破壊的トレンドと長期シナリオ
出典と参考文献

エグゼクティブサマリー：主要な発見と市場の推進要因

高接合化合物半導体の製造セクターは、2025年に加速的な成長を遂げる準備が整っており、高性能電子機器およびオプトエレクトロニクスデバイスに対する需要の急増によって推進されています。ガリウムナイトライド（GaN）、ガリウムヒ素（GaAs）、インジウムリン（InP）、およびシリコンカーバイド（SiC）などの化合物半導体は、高電圧、高周波数、および熱効率を必要とするアプリケーションにますます好まれています。主要な市場の推進要因には、5Gインフラの拡大、電気自動車（EV）の急速な普及、および人工知能（AI）とパワーエレクトロニクスの進展が含まれます。

いくつかの業界リーダーが、増大する需要に応えるために生産能力を拡大しています。onsemiは、2024年末に韓国に新しいSiC製造施設を開設し、EVおよび再生可能エネルギー市場をターゲットにしています。Wolfspeedはニューヨークに大規模なSiCウェハーファブを完成させ、次世代の自動車および産業用パワーモジュールを供給する体制を整えています。GaNセクターでは、imecとそのパートナーがGaNextエコシステムを立ち上げ、デバイスメーカーと機器サプライヤーの間のコラボレーションを促進し、パワーおよびRF GaN技術の革新を加速しています。

2024年から2025年のデータは、金属有機化学蒸着（MOCVD）ツールなどの高度な製造装置への堅調な投資が行われていることを示しており、サプライチェーンを確保するための垂直統合戦略にも投資が行われています。例えば、ams OSRAMは、パワーエレクトロニクス向けに高容量の8インチGaN-on-siliconウェハー生産を開始し、大規模でコスト効果の高い製造へのシフトを示しています。ROHM Semiconductorは、日本におけるSiCデバイスの生産能力を拡大し、品質と自動車グレードの信頼性に重点を置いています。

今後、高接合化合物半導体の製造に対する見通しは非常にポジティブです。業界のロードマップは、ウェハーサイズの急速な進化、歩留まりの改善、デバイス統合の進展を予測しています。ファウンドリ、材料サプライヤー、OEM間のコラボレーションの増加が、革新とコスト削減を促進すると期待されています。グローバルな電化のトレンドと次世代ワイヤレス展開が進む中、このセクターは将来の技術の重要な推進力としての役割を果たし続けるでしょう。

2025年の市場規模と2030年までの成長予測

高接合化合物半導体の製造市場は、2025年に堅調な成長を遂げる準備が整っており、電気自動車（EV）、5Gインフラ、再生可能エネルギー、および高度なコンピューティングアプリケーションにおける需要の急増により、2030年まで拡大し続けると予想されています。シリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）などの化合物半導体は、これらの分野の中心的な役割を果たしており、その優れた効率、熱伝導率、高電圧および高周波数での動作能力が求められています。

2025年には、SiCおよびGaNのウェハー製造能力が新たな高水準に達すると予想されており、新しいファブへの数十億ドル規模の投資と生産能力の拡大が後押ししています。Wolfspeedは、モホークバレー工場での生産を増強し、グローバルなSiCデバイス市場の大きなシェアを目指しています。同様に、onsemiは2025年までにSiCの生産能力を倍増する計画を発表し、自動車および産業部門の電化への移行を支援しています。

市場の見通しは、Infineon Technologies AGのような主要プレーヤーによってさらに強化されています。Infineonは、オーストリアとマレーシアにおける200mm SiCウェハー生産能力の拡大を進めており、今後5年間で増大する顧客需要に応えることを目指しています。STMicroelectronicsも、SiC基板およびデバイスの製造拡大にコミットしており、サプライチェーンの強靭性を向上させるための垂直統合に焦点を当てています。

ガリウムナイトライドの製造は、特に無線周波数（RF）およびパワーエレクトロニクスの分野で並行して進展しています。NXP SemiconductorsとQorvoは、無線インフラおよび防衛アプリケーション向けにGaN-on-SiCおよびGaN-on-siliconプロセスをスケールアップしており、2025年以降に新製品の導入が予定されています。

これらのトレンドを踏まえ、Semiconductor Industry Associationのような業界団体は、2030年までにグローバルな化合物半導体市場が、より広範な半導体セクターを大きく上回る複合年間成長率（CAGR）で成長すると予想しています。主要な成長推進要因には、EVの加速的な普及、高効率パワーエレクトロニクスの普及、次世代通信ネットワークの展開が含まれます。

全体として、2025年から2030年にかけて、高接合化合物半導体の製造において競争が激化し、生産能力の拡大と技術的ブレークスルーが見込まれ、このセクターはグローバルな半導体市場の進化の最前線に位置付けられています。

技術革新：高接合設計と製造方法

高接合化合物半導体の製造分野は、パワーエレクトロニクス、RF通信、オプトエレクトロニクスなどの分野でのより高い効率、パワー密度、ミニチュア化の需要が加速する中、急速な技術革新を遂げています。2025年には、特に単一デバイス内での複数接合の統合と、高度なエピタキシャル成長技術の拡大において重要な進展が見込まれています。

最も顕著な革新の一つは、金属有機化学蒸着（MOCVD）および分子ビームエピタキシー（MBE）プロセスの洗練であり、複雑なIII-VおよびIII-N窒化物ヘテロ構造における個々の層の組成と厚さを正確に制御できるようになります。ams OSRAMや京セラなどの主要メーカーは、これらの方法を活用して、高輝度LED、高度なフォトデテクター、高効率の太陽電池向けの多接合デバイスを製造しています。層間の原子的に鋭い界面を製造する能力は、バンドギャップエンジニアリングやキャリアの閉じ込めを強化するために重要であり、デバイス性能に直接影響を与えます。

パワーエレクトロニクスの分野では、垂直高接合アーキテクチャを持つガリウムナイトライド（GaN）およびシリコンカーバイド（SiC）化合物半導体の台頭が、高電圧、高スイッチング速度のデバイスの次世代を推進しています。WolfspeedやInfineon Technologies AGは、高電子移動度トランジスタ（HEMT）を製造するための高度な接合終端およびトレンチ構造を利用したSiCおよびGaNのスケーラブルなウェハー生産を実証しています。これらの革新は、より高いブレークダウン電圧と改善された熱性能を可能にし、輸送の電化や再生可能エネルギーの統合にとって重要な特性です。

さらに、選択的領域成長および原子層堆積（ALD）の採用により、ナノワイヤや量子井戸ベースのデバイスなど、三次元高接合アーキテクチャの製造が可能になっています。imecやNXP Semiconductorsは、高周波トランジスタや次世代オプトエレクトロニクスコンポーネントの進展を促進するために、これらのアプローチを積極的に追求しています。これらの方法は、デバイスの統合を緊密にし、寄生損失を低減し、コンパクトなフットプリント内での新しい機能を実現します。

今後、2025年以降にわたる見通しには、200mmおよび300mmウェハーへの高接合化合物半導体製造のスケールアップが含まれ、コスト効率の向上と自動車、産業、5G/6Gインフラ市場での広範な普及が期待されています。デバイスメーカー、ウェハーサプライヤー、ツールメーカー間の共同イニシアチブが、これらの技術の商業化を加速させており、高ボリューム生産のための歩留まり、均一性、および製造可能性の向上に強く焦点を当てています。

主要メーカーと業界リーダー（公式情報のみ）

2025年の高接合化合物半導体製造の風景は、パワーエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、高周波アプリケーションにおける高性能デバイスの需要に応えるために、先進的なプロセステクノロジーを活用するいくつかのグローバルリーダーによって支配されています。これらのメーカーは、次世代アプリケーションのために、より高い電圧、周波数、および効率を可能にするために、ガリウムナイトライド（GaN）、シリコンカーバイド（SiC）、およびインジウムリン（InP）などの材料の革新に焦点を当てています。

Wolfspeed：SiC技術のパイオニアとして、Wolfspeedは高接合化合物半導体のウェハーおよびデバイス製造の最前線にいます。2025年には、同社は200mm SiCウェハー専用に設計されたモホークバレー工場の生産を拡大し、自動車および産業用パワーエレクトロニクス向けの高電圧SiC MOSFETおよびショットキー素子の大量生産に向けた重要なステップを踏み出します。
STMicroelectronics：STMicroelectronicsは、最近のカターニャ（イタリア）およびシンガポールのファブへの投資を通じて、SiCデバイスのポートフォリオと製造能力を拡大し続けています。同社は、電気自動車および再生可能エネルギーシステムで使用される高接合デバイスのために、SiC基板およびエピタキシーの確保に向けた戦略的パートナーシップを発表しています。
ON Semiconductor：onsemiは、最近150mmおよび200mmウェハープロセスをサポートするためにファブを取得およびアップグレードし、SiCの生産能力を増強しています。同社の基板成長からデバイスパッケージングまでの垂直統合アプローチは、高接合フィールド効果トランジスタ（FET）およびダイオードの主要サプライヤーとしての地位を確立しています。
Infineon Technologies：Infineon Technologiesは、SiCおよびGaNデバイス製造のリーダーです。2025年には、新しいクーリム（マレーシア）施設が完全稼働に達し、自動車用インバータやデータセンター用電源供給向けのSiC MOSFETおよびGaN HEMTの生産を大幅に増加させる見込みです。
ROHM Semiconductor：ROHM Semiconductorは、高接合デバイスの高度な信頼性と効率に焦点を当て、SiCビジネスの垂直統合に投資し続けています。同社は、日本の筑後工場を拡大し、自動車および産業アプリケーションの需要に応えています。
IQE：IQEは、特にGaNとInPの化合物半導体向けのエピタキシャルウェハー製造を専門としています。同社の高度なエピタキシー技術は、RF、フォトニクス、およびパワーエレクトロニクスで使用される高接合デバイスの製造に不可欠です。

2025年以降の業界の見通しは、さらなる生産能力の拡大、垂直統合、主要メーカー間の戦略的パートナーシップを示唆しています。焦点は、ウェハーサイズの拡大、欠陥密度の改善、および急増する高接合化合物半導体に対するグローバルな需要を満たすための生産ラインの自動化にあります。

新興アプリケーション：パワーエレクトロニクス、5G、AIハードウェア

高接合化合物半導体（ガリウムナイトライド（GaN）、シリコンカーバイド（SiC）、ガリウムヒ素（GaAs）など）は、2025年において、パワーエレクトロニクス、5G通信、AIハードウェアの新興アプリケーションの最前線にいます。従来のシリコンよりも高い電圧、周波数、温度で動作する能力は、次世代システムにとって不可欠です。

パワーエレクトロニクスでは、電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、産業オートメーションへの移行が、SiCおよびGaNデバイスの需要を加速させています。Infineon Technologies AGやWolfspeed, Inc.などの主要プレーヤーは、自動車用トラクションインバータや急速充電インフラの予測需要に応えるため、SiCの生産能力を拡大しています。2023年および2024年には、Infineon Technologies AGが新しいSiCファブラインへの大規模な投資を発表し、2025年には生産量の増加が、特に800VクラスのEVアーキテクチャにおける市場の広範な採用に繋がると期待されています。

GaNベースのパワーデバイスは、その効率とスイッチング速度により、消費者向けの急速充電器やデータセンターの電源供給での需要が高まっています。Navitas SemiconductorやTransphorm, Inc.は、GaN-on-SiパワーICの大量生産を進めています。2025年までに、ウェハースケールの製造と欠陥軽減の進展により、歩留まりとコスト構造が改善され、GaNは産業用ドライブやグリッド接続インバータなどの高出力アプリケーションに向けられるようになります。

5Gおよびそれ以降の領域では、高接合化合物半導体は、無線周波数（RF）フロントエンドモジュールや大規模MIMOアンテナアレイに不可欠です。Qorvo, Inc.やSkyworks Solutions, Inc.は、5G基地局およびインフラ向けにGaNおよびGaAs HEMTの生産を拡大しています。2025年には、5G-Advancedの商業展開と6Gの研究が、高周波数、高出力RFコンポーネントの需要を促進し、化合物半導体がミリ波帯域での動作を可能にします。

AIハードウェア、特に高性能コンピュートアクセラレーターやエッジデバイスは、化合物半導体の速度と熱的利点を活用し始めています。2024年には、NXP Semiconductors N.V.やInfineon Technologies AGが、AI推論およびワイヤレスエッジ処理のための新しいGaNベースのソリューションを強調し、製造技術が成熟するにつれて、今後数年でさらなる製品導入が期待されています。

今後数年は、200mmウェハー製造、垂直デバイスアーキテクチャ、および異種統合への投資が続くと予想されており、主要メーカーや業界コンソーシアムによって支えられています。これらの進展は、高接合化合物半導体が将来のシステムの電化、接続性、および知能において重要な役割を果たすことを期待されています。

サプライチェーンのダイナミクスと材料調達の課題

高接合化合物半導体（ガリウムナイトライド（GaN）、シリコンカーバイド（SiC）、ガリウムヒ素（GaAs）など）の製造は、複雑でグローバルに分散したサプライチェーンによって支えられています。2025年の時点で、セクターは材料調達、地政学的影響、および自動車、パワーエレクトロニクス、通信における高性能アプリケーションのための生産能力の拡大に関連する持続的かつ新たな課題に直面しています。

重要なサプライチェーンのボトルネックは、高純度の原材料の調達、特にガリウム、シリコンカーバイド基板、および希土類元素の調達です。例えば、GaNおよびGaAsウェハーの重要な原材料であるガリウムは、ボーキサイト処理の副産物として主に生産されており、中国は世界の90％以上の生産を管理しています。最近の輸出制限や価格の変動により、京セラ株式会社や日亜化学工業株式会社などのメーカーは、調達先を多様化し、リサイクルイニシアチブに投資してリスクを軽減しています。

SiCウェハーの生産も焦点となっており、自動車セクターの効率的なパワーエレクトロニクスに対する需要が急増しています。WolfspeedやOkmeticなどのサプライヤーは、米国およびヨーロッパに新しい施設を設立し、供給不足に対処し、アジアのサプライヤーへの依存を減らすことを目指しています。しかし、欠陥のないSiCブールを成長させるためのエネルギー集約的で技術的に要求される性質は、長いリードタイムと高コストをもたらします。

超純度の前駆体化学物質および特殊なエピタキシャルツールの必要性は、AZ Electronic Materialsやams OSRAMなどの限られたサプライヤーから調達され、複雑さが増しています。いずれかのレベルでの物流や製造の混乱は、下流のデバイス製造スケジュールに影響を及ぼす可能性があります。

サプライチェーンを安定させるために、主要なメーカーは長期的な供給契約を結び、上流プロセスの垂直統合を進めています。例えば、Infineon Technologies AGは、社内でのウェハー処理への投資および原材料生産者との直接的な関係を発表し、特に自動車グレードのSiCデバイスの供給の安全性を確保しています。

今後数年に向けて、業界の見通しは慎重に楽観的です。リサイクル、代替材料、および地域の多様化への継続的な投資が、一部のプレッシャーを緩和すると期待されています。しかし、さらなる地政学的変動や混乱が、化合物半導体材料の供給と需要の微妙なバランスに迅速に影響を与える可能性があるため、セクターは警戒を怠らない必要があります。

競争環境：戦略的動きとパートナーシップ

高接合化合物半導体製造の競争環境は、2025年に顕著な変化を遂げており、大手業界プレーヤーが高性能デバイスに対する需要の急増に対応するために、戦略的提携、投資、技術交流を強化しています。主要なメーカーは、革新を加速し、生産をスケールアップし、持続的なグローバルなチップ不足の中でサプライチェーンを確保するためにパートナーシップを活用しています。

2025年初頭、Infineon Technologies AGは、オーストリアにおける化合物半導体の生産能力を大幅に拡大することを発表し、シリコンカーバイド（SiC）およびガリウムナイトライド（GaN）高接合デバイスに焦点を当てています。この動きは、Infineonが自動車OEMやパワーモジュールサプライヤーとの継続的なコラボレーションを補完し、電気自動車や再生可能エネルギーシステム向けの次世代パワーソリューションをカスタマイズすることを目指しています。同様に、Wolfspeed, Inc.は、200mm SiCウェハー生産に特化したニューヨークのモホークバレー工場の生産をスケールアップし、高接合部品の歩留まりを向上させ、コストを削減しています。同社はまた、先進的なSiCデバイスへの下流アクセスを確保するために、Tier-1の自動車および産業パートナーとの数年にわたる供給契約を結びました。

アジアのファウンドリも戦略的な動きを見せています。Cree, Inc.（Wolfspeedとして運営）とROHM株式会社は、高電圧SiC MOSFETおよびショットキー素子の新しい製造ラインに共同投資することで、協力関係を深めています。一方、ON Semiconductorは、ベトナムのVNPT Technologyとのパートナーシップを拡大し、GaNデバイスのサプライチェーンの一部を地域化し、地域のレジリエンスを強化することを目指しています。

ヨーロッパでは、STMicroelectronicsとGLOBALFOUNDRIESが、フランスに新しい300mmウェハー工場への共同投資を最終決定し、従来の半導体市場と化合物半導体市場の両方をターゲットにしています。この施設は、2025年末までに高度なSiCおよびGaN高接合デバイスのパイロット生産を開始する予定であり、大手自動車および産業顧客からの数年にわたる購入コミットメントに支えられています。

今後、業界はコンソーシアムの形成や公私パートナーシップの増加を目の当たりにしており、これらはしばしば国家およびEUレベルの資金によって支えられ、化合物半導体製造におけるヨーロッパおよびアジアの戦略的自律性を強化することが期待されています。これらのコラボレーションは、革新サイクルを加速し、コスト効率を推進し、高接合デバイス製造能力の着実な進展を2020年代後半まで確保することが期待されています。

規制と基準の更新（2025年以降）

高接合化合物半導体製造の規制環境は、次世代の電子機器、通信、および自動車アプリケーションにおけるセクターの役割が拡大する中、2025年およびその後の数年間で重要な進展が見込まれています。規制機関や基準組織は、ガリウムナイトライド（GaN）、インジウムリン（InP）、およびシリコンカーバイド（SiC）デバイスなどの先進的な化合物半導体がもたらす独自の環境的、サプライチェーン、技術的課題に対応しています。

2025年の最も注目すべき規制のトレンドの一つは、輸出管理とサプライチェーンの監視の強化であり、特に化合物半導体が国家安全保障および先進技術のリーダーシップにとって重要と見なされる中で進行しています。米国産業安全局（BIS）は、最近の追加が特定のIII-Vおよび広帯域ギャップ半導体製造装置および前駆体材料をターゲットにした商業制御リストを更新しています。これらの更新は、敏感な技術を保護しながら、同盟国との継続的な協力を確保することを目的としています。

環境面では、米国環境保護庁（EPA）および欧州化学庁（ECHA）が、ガリウムおよびヒ素化合物などの化合物半導体製造に関与する有害物質の監視を強化しています。新しい指令や今後の指令は、製造業者に対し、廃棄物管理、排出制御、労働者の安全プロトコルを実施することを要求し、欧州連合のグリーンディールおよび米国のCHIPSおよび科学法の持続可能性の規定に沿った広範な持続可能性目標を整合させることになります。

標準化機関も、業界全体で技術仕様を調和させる努力を加速しています。SEMI国際標準プログラムは、シリコンを超えた新しいプロセス制御メトリック、ウェハー品質パラメータ、および高接合化合物半導体に特化した信頼性試験方法論を網羅するように範囲を拡大しています。特に、新たに更新されたSEMI MS基準は、SiCおよびGaN基板の独自の熱的および電気的特性に対処しており、グローバルなサプライチェーン全体での相互運用性と品質保証を促進しています。

今後、Cree | Wolfspeed、onsemi、およびInfineon Technologies AGなどの業界リーダーの規制に関する議論やコンソーシアムへの積極的な関与が、進化するコンプライアンス要件をナビゲートする上で重要になります。これらの企業は、デバイスの信頼性、トレーサビリティ、および持続可能性に関する将来の基準を形成するために積極的に参加しています。規制の複雑さが増す中、メーカー、基準機関、政府間の協力が不可欠であり、高接合化合物半導体の革新が過度の混乱なく進むことを確保し、安全性、セキュリティ、環境責任を維持することが求められます。

投資動向と資金調達の機会

高接合化合物半導体製造における投資活動は、次世代パワーエレクトロニクス、5G/6Gインフラ、電気自動車、および高度なフォトニクスに対する需要によって、2025年に加速しています。ガリウムナイトライド（GaN）、シリコンカーバイド（SiC）、およびインジウムリン（InP）などの主要材料は、従来のシリコンに比べて優れた電子移動度と熱性能を持っているため、最前線にいます。

主要な半導体メーカーは、資本支出を増やし、新しいパートナーシップを結ぶことで製造能力を拡大しています。2025年初頭、Wolfspeedは、ニューヨークの200mm SiCウェハー施設への継続的な投資を発表し、SiC生産のスケールアップに向けた以前の13億ドルのコミットメントを基にしています。同様に、Infineon Technologies AGは、マレーシアのクーリム工場への投資を増やし、自動車および再生可能エネルギーセクター向けのSiCおよびGaNデバイス製造の拡大に焦点を当てています。

ベンチャーキャピタルや政府の資金もこのセクターに流入しています。米国のCHIPSおよび科学法、ならびに欧州連合のイニシアチブは、先進的な化合物半導体製造に向けて数十億ドルのインセンティブや助成金を指向しています。例えば、onsemiは、米国におけるSiC能力拡大を加速するための連邦支援を受けており、サプライチェーンのレジリエンスと国内の高接合デバイスの生産を目指しています。

スタートアップ企業は、特に新しいエピタキシャル成長技術や高効率デバイスアーキテクチャを開発している企業が、初期段階の資金を大幅に獲得しています。最近の資金調達ラウンドは、STMicroelectronicsやNXP Semiconductorsなどの業界大手によって主導されており、垂直GaNおよび超高電圧SiCトランジスタの革新を促進しています。

今後、業界アナリストは、2027年までの投資の持続的な成長を予測しており、2023年の水準から高接合化合物半導体のグローバルな生産能力が倍増することが期待されています。公私パートナーシップやジョイントベンチャーは、ROHM Semiconductorと自動車OEM間のものを含め、特にアジア太平洋地域で急速に拡大する製造インフラを支えることが期待されています。

全体として、化合物半導体セクターの堅調な資金環境は、確立されたメーカーからの直接投資と協調的な政府政策によって支えられ、高接合デバイス製造のスケーリングと技術的進展を加速させることが期待されています。

将来の展望：破壊的トレンドと長期シナリオ

高接合化合物半導体製造の風景は、2025年および今後数年間にわたって変革的な変化を遂げる準備が整っており、いくつかの破壊的トレンドが長期的な業界シナリオを形成しています。この進化の中心には、高度なパワーエレクトロニクス、高周波通信、およびオプトエレクトロニクスデバイスに対する需要の増加があります。これらは、材料、デバイスアーキテクチャ、および製造プロセスの革新を促進しています。

最も重要なトレンドの一つは、広帯域ギャップ材料（特にガリウムナイトライド（GaN）およびシリコンカーバイド（SiC））の普及であり、これにより、従来のシリコンベースのデバイスと比較して、高い接合電圧、改善された熱性能、およびより大きなエネルギー効率が実現されます。Cree | Wolfspeedやonsemiなどの主要メーカーは、急増する自動車、再生可能エネルギー、データセンター市場の需要に応えるために、新しい施設やプロセスの強化を通じて製造能力を拡大しています。例えば、Cree | Wolfspeedは最近、新しいSiCウェハー製造プラントを開設し、今後数年間で高接合パワーデバイスの出力を大幅に増加させることを目指しています。

同時に、金属有機化学蒸着（MOCVD）や分子ビームエピタキシー（MBE）などのエピタキシャル成長技術の進展により、ますます複雑な多接合アーキテクチャを持つデバイスの製造が可能になっています。これは、高効率の太陽電池や次世代LEDに特に関連しており、層状の化合物半導体構造が性能向上の鍵となります。Veeco Instruments Inc.のような主要な機器サプライヤーは、高接合デバイスの生産に最適化された新しいMOCVDプラットフォームを開発しており、業界全体での広範な採用を見込んでいます。

シリコン基板上での化合物半導体の統合は、もう一つの新たなフロンティアです。STMicroelectronicsのような企業は、化合物半導体の高性能とシリコンファウンドリーのコスト効率およびスケーラビリティを組み合わせることを約束する異種統合技術を進めています。このアプローチは、5G/6G RFコンポーネントや高度なセンサーアレイの商業化において重要な役割を果たすと期待されています。

今後、ガリウムナイトライドやシリコンカーバイド基板などの主要原材料のグローバルなサプライチェーンが引き続き焦点となるでしょう。Coherent（旧II-VI Incorporated）などの業界プレーヤーは、基板の生産を拡大し、予想される供給不足に対処し、品質の一貫性を確保するために結晶成長技術に投資しています。

要約すると、今後数年間は、高接合化合物半導体製造が材料革新、プロセス統合、および高度な製造のスケーリングによって推進されることが期待されています。これらのトレンドは、既存の市場を破壊するだけでなく、エネルギー、モビリティ、通信の分野で新しいアプリケーションを解放し、長期的な業界の変革の舞台を整えることになります。